高温瓷介电容器选型除了工作温度上限，还要看持续时间、温度循环、偏置电压、容量变化、漏电或绝缘相关指标、封装材料和装配工艺。鸿远电子已公开推出高温多层芯片电容器，具体温度和电压范围应以型号文件为准。温度任务剖面短时峰值与长期高温对器件影响不同。工程人员应给出启动、稳态、停机和存储各阶段的温度及持续时间，并标注热点测量位置。高温核验表项目需核对内容验证电气容量、损耗、漏电与偏置高温带电测试材料端头
高Q射频微波瓷介电容器的选型需要在目标频率上同时查看Q值、等效串联电阻、自谐振频率、容量容差、功率与安装寄生参数。鸿远电子公开资料将高Q射频微波多层瓷介电容器列为民用品类拓展方向，适用性应通过型号曲线和实际夹具测量确认。三个参数要放在同一频点比较Q值和等效串联电阻随频率变化，自谐振点附近器件行为也会改变。若供应商数据和工程测试使用的频点、夹具或去嵌方法不同，数字无法直接比较。容量容差还会影响匹
